Автор Анна Евкова
Преподаватель который помогает студентам и школьникам в учёбе.

Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим

Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Физика
Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Решение задачи
Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим
Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Выполнен, номер заказа №16510
Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Прошла проверку преподавателем МГУ
Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим  245 руб. 

Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим

Напишите мне в чат, пришлите ссылку на эту страницу в чат, оплатите и получите файл!

Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим

Закажите у меня новую работу, просто написав мне в чат!

Описание заказа и 38% решения ( + фото):

Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим количеством атомов трёхвалентной примеси с концентрацией  Первый студент утверждает, что при любых условиях концентрация дырок в таком полупроводнике будет много меньше концентрации свободных электронов:  . Второй студент настаивает на обратном: при любых условиях n n e  Третий студент не согласен с ними и говорит, что при некоторых условиях концентрации электронов и дырок могут быть сравнимы. Кто из них, по Вашему мнению, прав? Можно ли, как предлагает третий студент добиться, например, соотношения и если да, то при каких условиях? Ответ обосновать и объяснить с помощью законов и формул физики.

Ответ: Концентрация электронов и дырок: То есть прав 3 студент. Так как существуют концентрация p-типа и n-типа, которые и говорят о количестве концентрации. Отношение: 𝑛𝑝 = 2𝑛𝑒 Возможно при 𝑛𝑝 = 𝑛 2 𝑛𝑠 → 𝑛𝑠 = 𝑛𝑒 2

Чтобы получить примесный полупроводник, решётку четырёхвалентного собственного полупроводника-кремния с концентрацией атомов Si n легировали очень небольшим