Сложные полупроводники и их классификация по периодической таблице. Соединения AIIB VI, AIIIB V , AIB IIIC2 VI и применение их в полупроводниковой технике

		Химия
		Решение задачи
		18 февраля 2021
		Выполнен, номер заказа №17022
		Прошла проверку преподавателем МГУ
		245 руб.

Сложные полупроводники и их классификация по периодической таблице. Соединения AIIB VI, AIIIB V , AIB IIIC2 VI и применение их в полупроводниковой технике.

Ответ:

Сложными называют полупроводники, состоящие из атомов двух или большего числа химических элементов, например: соединения типа AIV– В IV (сульфид свинца РbS, теллурид свинца РbТе); AII–В IV (сульфид кадмия СdS; селенид кадмия СdSe; окись цинка ZnO; сульфид цинка ZnS); AIII–В V (антимонид алюминия АlSb; антимонид галлия GаР; арсенид галлия GаAs; фосфид галлия GаР; антимонид индия InSb; арсенид индия InAs; фосфид индия InР). Соединения типа A IIB VI – соединения элементов II (Cd; Zn; Hg) и VI (S; Se; Te) групп периодической системы. Имеют кристаллическую структуру типа сфалерита или вюрцита, реже типа NaCl.

Связь между атомами носит ковалентно-ионный характер (доля ионной составляющей 45–60%). Важнейшие представители данной группы полупроводниковых материалов: CdTe; CdS; ZnTe; ZnSe; ZnO; ZnS. Соединения типа A IIIB V – соединения элементов III (Al; Ga; In) и V (N; P; As; Sb) групп периодической системы.

Имеют, в основном, кристаллическую структуру типа сфалерита. Связь атомов в кристаллической решетке носит преимущественно ковалентный характер с некоторой долей (до 15%) ионной составляющей. Плавятся такие соединения конгруэнтно, т.е. без изменения состава. Важнейшие представители этой группы полупроводниковых материалов: GaAs; InP; InAs; InSb; GaP. Соединения типа A IB IIIC2 VI – соединения элементов I (Cu; Ag), III (Al; Ga; In) и VI (S; Se; Te) групп периодической системы. Полупроводники составляют основу современных больших и сверхбольших интегральных схем, которые делают, главным образом, на основе Si. Дальнейший прогресс в повышении быстродействия и в снижении потребляемой мощности связан с созданием интегральных схем на основе GaAs; InP и их твердых растворов с другими соединениями типа A IIIB V .

В больших масштабах используют полупроводниковые материалы для изготовления «силовых» электронных приборов (вентили, тиристры, мощные транзисторы). Здесь основным материалом также является Si, а дальнейшее продвижение в область более высоких температур связано с применением GaAs; SiC и других полупроводниковых материалов.

Расширяется применение полупроводниковых материалов в солнечной энергетике (GaAs), для создания полупроводниковых лазеров и светодиодов. Лазеры изготавливают на основе полупроводников типа A IIIB V , A IIB VI и др. Также важные области применения полупроводниковых материалов: детекторы ядерных излучений (GaAs; CdTe), изготовление термохолодильников, тензодатчиков, высокочувствительных термометров, датчиков магнитных полей и прочих приборов.